高出力625nmAlGaInP半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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広い色再現性や低消費電力などの特長をもつレーザディスプレイの赤色光源は、AlGaInP系の半導体レーザが用いられる。この発振波長が短波長であるほど低い低出力のLDでディスプレイが実現できる。本報告ではAlGaInP系LDの短波長化の可能性について検討した。40umのストライプ幅のBA構造LDで、50mW/CW、25℃で624.9nmで発振し、発振閾値電流密度:630A/cm^2、最大光出力:220mWの有する赤色LDが実現できた。この波長域での発振閾値電流密度は世界最小値である。しかし、特性温度が25.2Kと低いなど温度特性が630nm以上で発振するLDより顕著に悪く、実用化には更なる改善が必要であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
島田 尚往
三菱電機
-
八木 哲哉
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮下 宗治
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
宮下 宗治
三菱電機株式会社
-
島田 尚往
三菱電機株式会社
-
阿部 真司
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
八木 哲哉
三菱電機 高周波光デバイス製作所
-
八木 哲哉
三菱電機株式会社
-
大野 彰人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
阿部 真司
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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