高ファイバ内光出力0.98μm半導体レーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザは、Erドープ・光ファイバアンプの高効率、低雑音な励起光源として期待されている。最近、100mW前後の高いファイバ内光出力が報告され、ファイバ内光出力を向上するためのモジュール化技術の開発も活発化している。ファイバ内光出力の向上にはレーザの高出力化とともに、レーザとファイバの結合効率の向上が重要である。結合効率向上には、デバイス設計上からは垂直放射角低減による低アスペクト比の実現、横モードの安定化等のビーム特性の改善が必要である。我々はAlGaAsブロック層を用いて150mWまでモード安定できることを報告した。今回、導波路構造の最適化によりビーム特性を改善し、高いファイバ内出力が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
西村 隆司
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
吉田 保明
三菱電機 高周波・光デバイス製作所
-
古田 保明
三菱電機(株)
-
大村 悦司
三菱電機(株)
-
大村 悦司
三菱電機株式会社
-
永井 豊
三菱電機株式会社
-
永井 豊
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
鴫原 君男
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
吉田 保明
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
鴨原 君男
三菱電機株式会社
-
鴫原 君男
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
武本 彰
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
大村 悦司
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
吉田 保明
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
島 顕洋
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
神里 武
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
武本 彰
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
唐木田 昇一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
神里 武
三菱電機株式会社
-
西村 隆司
三菱電機(株)光素子開発部
-
大村 悦司
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
関連論文
- C-4-16 10Gbps-80km光トランシーバ用高光出力・低チャープEAM-LD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- DVD記録用660nm帯赤色LDの高出力化
- 記録型DVD用赤色LDの高出力化
- DVD-R/RW用高出力赤色LD(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 980nmポンプレーザの波長変化抑制 : メトロネットワーク用980nmポンプレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- SC-6-2 CWDM 用λ/4 位相シフト DFB レーザ
- 10Gbps-80km伝送用高光出力・低チャープEAM-LD(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 40Gbps伝送用低チャーブ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器
- C-3-46 非対称量子井戸吸収層を用いた低チャープEA変調器
- 20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
- 電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
- 利得結合DFBレーザの2.5Gb/s,100km伝送特性
- Er添加光ファイバアンプ励起用980nm半導体レーザ (特集 化合物半導体)
- Erドープファイバアンプ励起用0.98μm高出力半導体レーザ (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- C-4-16 ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
- ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- Si注入による無秩序化を利用した窓構造を有する0.98μm-LDの信頼性
- ファイバアンプ励起用0.98μm高出力半導体レ-ザ (特集 光・マイクロ波デバイス)
- レーザダイオードの微細構造解析 (特集 マイクロ・ナノテクノロジー適用例とその評価・解析技術)
- 900nm帯高出力半導体レーザの開発
- 高出力高信頼レーザーダイオードパッケージ
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 全MOCVD成長による1.48μm帯高出力レーザの信頼性
- 高ファイバ内光出力0.98μm半導体レーザ
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- 780nm帯窓構造高出力レーザ
- EB直描回折格子を用いたDFBレーザの発振波長制御
- 1.5μm帯アイセーフ高出力半導体レーザー
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- C-4-28 3次元電磁界解析による10Gbpsφ3.8mmCAN-LDの高周波応答シミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性
- DVD-RAM用高出力・高信頼半導体レーザー
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- 1.01μm帯LD励起による1.3μm帯lnF_3/GaF_3系PDFA
- 10Gbit/s識別器用広帯域バッファの検討
- 10Gb/sフリップフロップ内臓分布型EA変調器駆動IC
- 10Gb/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- 10Gb/sフリップフロップ内臓分布型EA変調器駆動IC
- 10Gbit/s D-FF内蔵分布型EA変調器駆動ICを用いた光送信器の開発
- 長波長埋込型レーザのリーク電流の解析
- 長波長埋込型レーザのリーク電流の解析
- 長波長埋込型レーザのリーク電流の解析
- 長波長埋込型レｰザのリｰク電流の解析
- 光通信用導波路レンズ付き半導体レ-ザ (特集"半導体") -- (高周波光素子)
- FP型レーザの変調歪の分散劣化低減の検討
- 4)CATV用光デバイス/モジュール(無線・光伝送研究会)
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- Prドープファイバアンプ励起用1.02μm高出力半導体レーザ (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- レーザー
- アナログ伝送用DFB-LD
- 高効率ファイバ結合型半導体レーザー
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高輝度LDの開発