Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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AlGaN/GaN HEMTにおいて広く使用されているオーミック電極はTi/Alを基本としているが,Alは酸・アルカリに対する耐腐食性に乏しく,プロセス安定性が低いためウェットエッチングを伴うプロセスなどで用いることが困難である.我々はSiイオン注入ドーピング技術を用いて,Alフリーでコンタクト抵抗が低く,なおかつ耐腐食性の高いTi/Nb/Au及びTi/Nb/Pt電極を開発し,プロセス安定性の向上に期待ができることを示した.
- 2009-11-12
著者
-
蔵田 哲之
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
今井 章文
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
吹田 宗義
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
阿部 雄次
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社
-
吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
阿部 雄次
三菱電機先端総研
-
南條 拓真
三菱電機
-
今井 章文
三菱電機
-
吹田 宗義
三菱電機
-
柳生 栄治
三菱電機
-
南條 拓真
三菱電機株式会社
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