金属膜と傾斜接合を持つMMI構造による偏波面分離素子の設計(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,光ファイバ(ホーリーファイバ,マルチコアファイバ等含む)伝送とファイバ光増幅・接続技術,光ファイバ計測応用,一般)
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概要
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InP基板上に作成された、金属膜と傾斜接合を持つMMI(Multi-Mode Interference)による偏波面分離素子の設計を行った。素子の全長は600μm以下である。計算機シミュレーションの結果、Cバンド全体で、挿入損失0.7dB以下、偏波面消光比23dBが得られた。
- 2013-02-21
著者
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社
-
西川 智志
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
柳生 栄治
三菱電機
-
小島 啓介
Mitsubishi Electric Research Labs. (MERL)
-
Parsons Kieran
Mitsubishi Electric Research Laboratories
-
秋濃 俊昭
Mitsubishi Electric Research Laboratories
-
YUAN Wangqing
Mitsubishi Electric Research Laboratories
-
WANG Bingnan
Mitsubishi Electric Research Laboratories
-
小島 啓介
Mitsubishi Electric Research Laboratories
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