チオフェンオリゴマー薄膜を用いた電界変調型光導波路デバイスの作製

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概要

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チオフェン6量体α-sexithienyl(6T)を用いて,電界効果トランジスタ型の電極構造を有する電界変調型光導波路デバイスを作製し,ゲート電圧-10OVの印加に対する出力光強度の変調度として最大20%を得た。本デバイスは同時にFETとしても動作し,負ゲート電圧に対する出力光強度の減少,角度カップリング特性,変調度の波長依存性から,変調メカニズムはゲート電圧によって注入または誘起されたポーラロンによる吸収変化であることがわかった。変調度の試料依存性はポーラロン発生効率ηの変化によると考えられ,光変調特性と連動して変化するFET特性もその効率ηの変化によって理解される。変調特性向上のためには発生効率ηの向上が必要であり,また材料特性としてはポーラロンの吸収断面積が大きいほどよいことがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-25

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