分子線とエキシマレーザーからなる複合反応場でのビス(エチニルスチリル)ベンゼンの薄膜成長

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概要

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我々は既に,分子線蒸着とフォトン場(KrFエキシマレーザー)を複合した反応場での有機薄膜作製法をビス(エチニルスチリル)ベンゼンに適用し,薄膜形成中のcis-to-trans光異性化反応により従来法では得られなかったトランス-トランス体の結晶性薄膜を作製している。今回,作製条件の詳細な検討により,上記複合反応場において堆積する異性体種がレーザー照射量に依存せずトランス-トランス体だけであることを明らかにした。このことは,基板上に一時的に滞在しているシス-シス体のうちレーザーパルスによって光異性化反応した分子が,トランス-トランス体として逐次生成・堆積することを示している。従って,基板には実質的にトランス-トランス体だけが供給され.シス-シス体分子に阻害されずかつ分子運動や表面拡散が容易になることが結晶成長の一因であると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-07-05

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