ICB法によるC_<60>単結晶薄膜の作製
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概要
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C_60>薄膜形成法として、クラスタイオンビーム(ICB)法を用いマイカを基板として、C_60>薄膜の単結晶領域のサイズを巨大化(mmオーダー以上)することに成功した。この巨大単結晶薄膜の成長過程においては、層状成長をしていると考えられている平面デンドライト状の単結晶領域が観察され、RHEEDおよびTEMによる電子線回折の解析から、それぞれの結晶領域は全て、エピタキシャル成長条件を満たしていることがわかった。さらに成膜を続けると、各結晶領域は粒界を生じることなしに融合しあって巨大な単結晶が形成されるというICB法に特有な層状成長過程を示すことが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-06-21
著者
-
磯田 悟
三菱電機(株)中央研究所研究
-
和田 理
三菱電機(株)
-
磯田 悟
三菱電機中央研究所
-
西川 智志
三菱電機中央研究所
-
川窪 広明
三菱電機中央研究所
-
和田 理
三菱電機材料デバイス研究所
-
川窪 広明
三菱電機中研
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