南條 拓真 | 三菱電機(株)先端技術総合研究所

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 三菱電機(株)先端技術総合研究所の論文著者

関連著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 尾関 龍夫

  三菱電機

• 尾関 龍夫

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 三浦 成久

  三菱電機先端技術総合研究所

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 三浦 成久

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 吹田 宗義

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 南條 拓真

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 阿部 雄次

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 阿部 雄次

  三菱電機先端総研

• 南條 拓真

  三菱電機

• 吹田 宗義

  三菱電機

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

もっと見る 閉じる

著作論文

• 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
• AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
• AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入

スポンサーリンク