低温成長したAlGdN蛍光体薄膜における深紫外発光効率の向上
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概要
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We have investigated the narrowband ultraviolet (UV) emission characteristics of Al0.94Gd0.06N grown by reactive magnetron sputtering in an ultra-pure process. A resolution limited, narrow band luminescence line from Gd3+ ions has been observed at ∼320nm. The crystallographic properties of the Al0.94Gd0.06N thin films are sensitive to the growth temperature. With a decrease in the growth temperature, the emission efficiency has been found to increase considerably. According to the crystallographic properties investigated by extended X-ray absorption fine structure analysis, fluctuation of the column-III sublattices around the Gd3+ ions plays a key role to enhance the luminescence intensity.
著者
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來山 真也
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
吉富 大明
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
喜多 隆
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
和田 修
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
千木 慶隆
（株）ユメックス
-
西本 哲朗
（株）ユメックス
-
田中 寛之
（株）ユメックス
-
小林 幹弘
（株）ユメックス
-
石原 嗣生
兵庫県立工業技術センター
-
泉 宏和
兵庫県立工業技術センター
-
喜多 隆
神戸大院工
-
喜多 隆
神戸大学大学院工学研究科
-
吉富 大明
神戸大院工
-
來山 真也
神戸大院工
-
和田 修
神戸大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
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