RFスパッタリング法で作製したSiO_2:Sm^<2+>膜の蛍光特性に及ぼす熱処理の影響
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概要
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SiO_2:Sm^<2+> and SiO_2:Sm^<2+> Al glass films have been prepared by a co-sputtering method, using an RF magnetron sputtering apparatus. Heat treatment at 1273 K in Ar gas increases the intensity of fluorescence spectrum due to Sm^<2+> ions. Also, the Sm concentration corresponding to a maximum fluorescence intensity becomes larger with the heat treatment. The heat treatment increases the number of isolated Sm^<2+> ions which contribute to the enhancement of fluorescence intensity.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1997-06-01
著者
-
石原 嗣生
兵庫県立工業技術センター
-
曽我 直弘
京都大学工学部材料化学教室
-
平尾 一之
京都大学工学部工業化学科
-
田中 勝久
京都大学工学部材料化学教室
-
石原 嗣生
兵庫県工技セ
-
田中 勝久
京大院・工
-
田中 勝久
京都大学大学院工学研究科
-
曽我 直弘
京大 大学院
-
平尾 一之
京都大学工学研究科
-
曽我 直弘
京都大学工学研究科材料化学専攻
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