THz帯用低雑音ショットキバリアダイオードの製作プロセスと界面評価
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概要
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我々は、THz帯で実用可能な高感度かつ低雑音のサブミクロン径Pt/GaAsショットキ・バリア・ダイオードの開発を行っており、これまでにこのダイオード製作プロセスの各工程をダイオードの雑音低減化を指標として最適化してきた。その結果、製作工程で発生するGaAs表面近傍における損傷欠陥を低減化する手法を確立し、特に浅い準位に起因する1/f雑音を低減化することに成功した。また今回新たに、ECRエッチング後のGaAs表面に対する硫化アンモニウム処理効果を確認する為に、原子間力顕微鏡によりザブミクロン径ホール内のGaAs表面観測を行い、硫黄原子の表面占有率を測定することが出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-22
著者
-
鈴木 哲
仙台電波工業高等専門学校
-
安井 孝成
長岡技術科学大学
-
藤島 寛智
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
莅戸 立夫
東北大学電気通信研究所
-
鈴木 哲
東北大学電気通信研究所
-
莅戸 立夫
東北大通研
-
水野 皓司
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
莅戸 立夫
理化学研究所
-
山田 巧
名古屋大学大学院工学研究科
-
安井 孝成
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
荒沢 正敏
東北大学電気通信研究所
-
山田 巧
光エレクトロニクス研究所
-
恒川 信
東北大学金属材料研究所
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