光照射半導体基板を用いたサブミリ波変調法の基礎特性
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概要
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半導体基板にそのバンドギャップエネルギー以上のフォトンエネルギーを持った光を照射し, 基板内に自由キャリアを発生させることにより, サブミリ波帯電磁波に対する基板反射率, 透過率を制御することができる. 本報告ではこの光照射半導体を用いたサブミリ波変調法に関して, 半導体基板としてノンドープ・シリコン及びGaAs, サブミリ波として波長214μmの連続波, 自由キャリアの励起光としてQスイッチNd:YAGレーザーパルス光を用いた場合の実験結果を示す. 本結果より, 半導体基板材料, 励起光波長, サブミリ波と励起光の基板に対する照射面の差異が変調波形に及ぼす影響を明らかにした. さらに, 本方法の応用としてサブミリ波帯においてパルス幅可変の短パルスの発生に成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-18
著者
-
南出 泰亜
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
莅戸 立夫
東北大学電気通信研究所
-
莅戸 立夫
東北大通研
-
水野 皓司
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
莅戸 立夫
理化学研究所
-
南出 泰亜
東北大学電気通信研究所
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