チャープ状ブラッグ反射層の反射特性について
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Reflective spectra of Bragg reflectors composed of alternating AlGaAs/AlAs layers were simulated. The band width of high reflectivity can be broadened by employing chirped structures where the optical thicknesses of the respective layers are changed continuously around a quarter wavelength. On the other hand, for chirped BRs, decreases in the reflective spectra appeared at some wavelength(s). These decreases are avoided by inserting conventional Bragg reflectors composed of several pairs of layers. The band width of more than 300nm was realized for reflectivity which exceeds 70%. This is three times wider compared with the non-chirped structure. The simulated results show good agreement with experiments.
- 大同特殊鋼株式会社の論文
著者
-
加藤 俊宏
大同特殊鋼
-
坂 貴
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
-
広谷 真澄
大同特殊鋼 新分野開セ
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)新分野開発センター
-
山内 紀克
名古屋工業大学電気情報工学科
-
諏澤 寛源
大同特殊鋼(株)研究開発本部
-
山内 紀克
名古屋工業大学
-
坂 貴
大同特殊鋼(株)研究開発本部
-
加藤 俊宏
大同特殊鋼(株)研究開発本部
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)研究開発本部
関連論文
- 23aHW-6 ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電子スピン偏極測定(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- グロー放電質量分析法における相対感度係数のマトリックス依存性
- グロー放電質量分析法における Cu 基, Al 基, Ti 基材料の相対感度係数
- グロー放電質量分析法におけるCu基, Al基, Ti基材料の相対感度係数
- グロー放電質量分析法における相対感度係数
- グロー放電質量分析法における Fe 基, Ni 基合金の相対感度係数
- Fe 基合金のグロー放電質量分析法における試料形状のイオン電流への影響
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スピン偏極電子源
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 新しいスピン偏極電子線源とその応用
- 歪み格子半導体における光励起電子のスピン偏極と緩和
- 偏極電子線陰極格子GaAsのスピン依存性発光
- 30p-J-7 Stained GaAsによるスピン偏極電子源の開発 II
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 幅の異なる量子井戸を有する共鳴キャビティLED
- 歪んだGaAs薄膜のスピン緩和時間の測定
- スピン偏極電子線源とその分析への応用
- InGaAs/AlGaAs多重量子井戸を用いた電流狭窄型発光ダイオードの低劣化挙動
- InGaAs/AlGaAs MQW電流狭窄型LEDの低劣化挙動
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 28a-ZF-3 GaAs/GaAsP/Si構造中のスピン偏極電子流とミュオンの相互作用
- ブラッグ反射鏡を用いた赤外点光源LEDの開発
- ブラッグ反射鏡を用いた赤外点光源LEDの開発
- 発光強度分布の均一な点光源LEDの開発
- 29a-C-4 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発V
- 29p-W-9 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発 IV
- 24pSB-7 GaAs/Si中の光励起電子によるミュオニウムスピン緩和
- 物理分析の材料科学への応用
- InGaAs歪み量子井戸構造を用いた高速発光ダイオード
- 半導体多層膜反射鏡の赤外LEDへの応用
- グロー放電質量分析法による Fe 基粉末試料の元素分析
- グロー放電質量分析法によるFe基粉末の元素分析
- グロー放電質量分析法による粉末中の微量元素分析
- 共鳴吸収型スピン偏極電子線源
- A New Modal Expansion Approach to Anomalous Diffraction of Slanted Gratings at Resonance
- 光導波路アレイにおける固有モードの解析
- ブラッグ反射鏡を用いた微小焦点LEDの開発
- 歪んだGaAs薄膜を用いた偏極電子線源
- MOCVD法により作成した反射層構造LEDの特性について
- MOCVD法により作成したGaAlAs系薄膜結晶の特性について
- Ti-Nb-Hf合金の超電導特性について
- Chirp格子をもつActive DBR構造の解析
- RE-Fe非晶質二層薄膜の光磁気特性
- Ni-Mn-Cu-Fe系高透磁率合金の磁気特性に及ぼす成分と熱処理の影響
- チャープ格子を用いた単一波長発振半導体レーザの解析
- 損失のある透過形減衰ホログラム格子における回折効率
- 容量過渡分光法による半導体薄膜の評価
- チャープ状ブラッグ反射層の反射特性について
- 誘電体導波路モードのBragg回折による変形現象
- 二次元光導波路アレイのモード解析
- 非導波型誘電体板アレイのモード解析
- 不均一な構造を有するDFBレ-ザ-の解析
- 直線屈折率分布を用いた誘電体光導波路の曲げ損失の改善(技術談話室)
- 誘電体格子による高次Bragg回折
- 概周期関数を用いたモ-ド展開法による誘電体格子解析
- レンズ状媒質中での光ビ-ム伝搬
- 不規則性を有する結合伝送線路系のモ-ド伝搬特性
- 透過形誘電体減衰ホログラム格子における回折効率
- リングレーザ共振器の共振モードとその配置誤差によるひずみ
- 高Bs非晶質合金の磁気特性について
- 焼結Fe-Ni合金の磁気特性について
- Fe-Cr焼結合金の磁気特性について
- 誘電体束導波路モードが受けるBragg回折効果の解析
- 26pWE-3 GaAs/GaAsP/Siの円偏光励起によるシリコン基板へのスピン注入(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))