InGaAs歪み量子井戸構造を用いた高速発光ダイオード
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概要
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A graded index separate confinement hetero-structure (GRINSCH) with an InGaAs quantum well has been applied to high speed surface light emitting diodes. The carrier lifetime in the GRINSCH structure has been compared with that in a conventional structure by time resolved photoluminescence. It is confirmed that GRINSCH structure decreases the lifetime. A performance of 7.4mW of output power and 118MHz speed at 945nm emitting wavelength has been obtained at 50mA forward current with the GRINSCH-LEDs.
- 電気製鋼研究会の論文
著者
-
加藤 俊宏
大同特殊鋼
-
坂 貴
大同工業大学工学部
-
堀中 博道
大阪府立大学
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼株式会社 技術開発研究所
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)新分野開発センター
-
Sale T.
英国，サリー大学
-
Woodhead J.
英国，シェフィールド大学
-
Roberts J.
英国，シェフィールド大学
-
Robson P.
英国，シェフィールド大学
-
Saka Takashi
大同工業大学，工学部，工博
-
Kato Toshihiro
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
-
Horinaka Hiromichi
大阪府立大学，工学部，工博
-
坂 貴
大同工業大学，工学部，工博
-
堀中 博道
大阪府立大学，工学部，工博
-
Sale T.E.
大同工業大学，工学部，工博
-
Woodhead J.
大阪府立大学，工学部，工博
-
Roberts J.
大阪府立大学，工学部，工博
-
Robson P.
Professor, Dep. E.E.E., The Unlversity of Sheffield
-
Sale T.
大同工業大学，工学部，工博
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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