Correlation between the Relative Sensitivity Factors and the Sputtering Yields in Glow-Discharge Mass Spectrometry
スポンサーリンク
概要
著者
-
坂 貴
大同工大
-
坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
-
SAKA Takashi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Daido Institute of Technology
-
Inoue Mika
Research And Development Lab. Daido Steel Co.ltd.
-
Saka Takashi
Department of Applied Electronics, Daido Institute of Technology, 2-21 Daido-cho, Minami-ku, Nagoya 457-8531, Japan
-
SAKA Takashi
Department of Applied Electronics, Daido Institute of Technology
関連論文
- 23aHW-6 ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電子スピン偏極測定(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- グロー放電質量分析法における相対感度係数のマトリックス依存性
- グロー放電質量分析法における Cu 基, Al 基, Ti 基材料の相対感度係数
- グロー放電質量分析法におけるCu基, Al基, Ti基材料の相対感度係数
- グロー放電質量分析法における相対感度係数
- グロー放電質量分析法における Fe 基, Ni 基合金の相対感度係数
- Fe 基合金のグロー放電質量分析法における試料形状のイオン電流への影響
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スピン偏極電子源
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 新しいスピン偏極電子線源とその応用
- 歪み格子半導体における光励起電子のスピン偏極と緩和
- Crystalline Structure of Heteroepitaxial GaAs and GaAsP Layers Grown on GaAs Substrates Investigated by X-ray Diffraction : II. Strain in GaAsP Layer
- Crystalline Structure of Heteroepitaxial GaAs and GaAsP Layers Grown on GaAs Substrates Investigated by X-ray Diffraction : I. Mosaic Structure
- 30p-J-7 Stained GaAsによるスピン偏極電子源の開発 II
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 幅の異なる量子井戸を有する共鳴キャビティLED
- 歪んだGaAs薄膜のスピン緩和時間の測定
- スピン偏極電子線源とその分析への応用
- InGaAs/AlGaAs多重量子井戸を用いた電流狭窄型発光ダイオードの低劣化挙動
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 28a-ZF-3 GaAs/GaAsP/Si構造中のスピン偏極電子流とミュオンの相互作用
- ブラッグ反射鏡を用いた赤外点光源LEDの開発
- ブラッグ反射鏡を用いた赤外点光源LEDの開発
- グロー放電質量分析法におけるAlの相対感度係数の濃度依存性
- 29a-C-4 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発V
- 29p-W-9 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発 IV
- 24pSB-7 GaAs/Si中の光励起電子によるミュオニウムスピン緩和
- Evidence of Correlation between Dark Spots and Dislocations Originating from Substrate in Light-Emitting Diodes
- 半導体多層膜反射鏡の赤外LEDへの応用
- グロー放電質量分析法におけるAlの相対感度係数の濃度依存症
- グロー放電質量分析法における原子のイオン化効率
- グロー放電質量分析法による原子のイオン化効率
- グロー放電質量分析法による Fe 基粉末試料の元素分析
- グロー放電質量分析法によるFe基粉末の元素分析
- High Spin Polarization of Conduction Band Electrons in GaAs-GaAsP Strained Layer Superlattice Fabricated as a Spin-Polarized Electron Source
- Spin Relaxation of Electrons in Graded Doping Strained GaAs-Layer Photocathode of Polarized Electron Source
- Correlation between the Relative Sensitivity Factors and the Sputtering Yields in Glow-Discharge Mass Spectrometry
- Quantitative Analysis of Strain in Silicon Crystals Using X-ray Pendellosung Oscillations
- グロー放電質量分析法およびグロー放電発光分光分析法を用いたグロー放電プラズマの特性の比較研究
- グロー放電質量分析法による元素分析
- グロー放電質量分析法およびグロー放電発光分光分析法を用いたグロー放電プラズマの特性の比較研究
- スピン偏極電子線源
- Development of Highly Reliable Point Source Infrared Light-Emitting Diodes and Analysis Using a New Parameter of Dark Area Ratio
- High Spin Polarization of Conduction Band Electrons in GaAs-GaAsP Strained Layer Superlattice Fabricated as a Spin-Polarized Electron Source
- Crystalline Structure of Heteroepitaxial GaAs and GaAsP Layers Grown on GaAs Substrates Investigated by X-ray Diffraction: II. Strain in GaAsP Layer
- Crystalline Structure of Heteroepitaxial GaAs and GaAsP Layers Grown on GaAs Substrates Investigated by X-ray Diffraction: I. Mosaic Structure
- Evidence of Correlation between Dark Spots and Dislocations Originating from Substrate in Light-Emitting Diodes
- Quantitative Analysis of Strain in Silicon Crystals Using X-ray Pendellösung Oscillations
- 26pWE-3 GaAs/GaAsP/Siの円偏光励起によるシリコン基板へのスピン注入(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))