Crystalline Structure of Heteroepitaxial GaAs and GaAsP Layers Grown on GaAs Substrates Investigated by X-ray Diffraction : II. Strain in GaAsP Layer
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2007-02-15
著者
-
堀中 博道
大阪府立大学工学研究科
-
SAKA Takashi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Daido Institute of Technology
-
ISEKI Maki
Department of Electrical and Electronic Engineering, Daido Institute of Technology
-
KATO Toshihiro
Optoelectronic Device Development Group, New Business Development Center, Daido Steel Co. Ltd.
-
HORINAKA Hiromichi
Department of Physics and Electronics, Faculty of Engineering, Osaka Prefecture University
-
MATSUYAMA Tetsuya
Department of Physics and Electronics, Faculty of Engineering, Osaka Prefecture University
-
Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
-
Kato Takayoshi
Reseach Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Kato T
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Matsuyama Tetsuya
Department Of Physics And Electronics Faculty Of Engineering Osaka Prefecture University
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