分子の鎖でナノワイヤーをつくる (特集 化学が拓くナノテクノロジー)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 化学同人の論文

著者

• 青野 正和

  物材機構mana

• 大川 祐司

  物材機構MANA

• 青野 正和

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

関連論文

• 23pGP-4 走査型トンネル顕微鏡誘起発光法を用いた磁性研究(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 走査トンネル顕微鏡における探針と Si 表面との相互作用およびその原子操作への応用
• STMにおける試料と探針からの電界蒸発 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
• 23aGP-1 BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
• 20aRH-3 Si(111)-7×7における磁化誘起SHGの位相測定
• 28a-Q-8 Si(111)-7x7 および"1x1"表面構造の非線形分光スペクトル II
• 31p-YF-6 Si(111)-7×7および"1×1"表面構造の非線形分光スペクトル
• 7a-PS-13 Si(111)-7x7 表面準位の非線形分光測定とスペクトル解析
• 29a-PS-22 Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定II
• 31p-PSB-39 Si(111)面7×7⇔"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究III
• 30a-PS-16 SI(111)7×7⟺"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究II
• 29a-J-2 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移過度応答の表面SHG法による研究
• 24pWB-9 放射光STMの開発 : 実空間・原子スケールでの元素識別への試み(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 2p-PSA-43 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移における過渡応答の応答解析
• 固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ
• 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
• 21aPS-74 放射光STM装置を用いたSi(111)表面上Geナノアイランドの解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pTB-5 ルブレン単結晶FETの短チャネル化(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
• 30p-BPS-26 同軸型直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)の開発とその応用
• 31a-T-1 CAICISSにおけるイオンと中性原子の加速管による分離
• 5p-W-6 CaF_2/Si(111)界面におけるCaSi_2の構造と形成過程のCAICISSによる研究
• 5p-W-5 CAICISSによる表面およびバルクの構造解析
• 29a-P-10 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS)の分光器の設計と製作
• 走査マルチプローブ顕微鏡を使ったナノワイヤーの電気輸送特性計測
• 25aYH-2 STM探針によるC_分子間の局所重合反応 : 重合度の制御(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 誘電体多層膜構造によるモルフォ蝶型発色体の作製
• 導電性高分子を用いた分子ワイヤ素子の開発
• 23aXA-8 STM探針による異種分子間ナノ接合の形成(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• モルフォ・ブルー再現基板の作製と, その最適化
• 26pRJ-12 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pWH-2 C_分子間反応の局所制御(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aPS-17 C_単分子層膜中での分子間結合の局所制御(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-6 第一原理計算によるC_分子の重合・脱重合反応過程の解明(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-5 STM探針によるC_分子の局所重合および脱重合反応の制御(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-4 STM探針を用いた導電性高分子鎖へのキャリア注入現象(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-3 単-ErSi_2ナノワイヤ中の局所的電気抵抗変化 : 二探針STMによる計測(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
• STM探針によるポリマーナノワイヤーの任意位置形成 (粒子線の高度利用(5))
• LB法によるポリジアセチレン分子膜の作製とその評価
• 低速イオン散乱分光法の低真空下での応用
• イオン散乱分光法によるPt/YSZ界面の構造評価
• 独立駆動2探針STMの開発
• 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
• 29p-BPS-54 表面金属クラスターの形成と分解のCAICISSによる時間分解観察
• 24a-PS-37 Si(111)√×√-Ag表面上への原子吸着のCAICISSによる研究
• 24a-PS-4 CAICISSによるイオンの中性化確率の3次元空間分布測定
• イオン散乱分光と表面構造の動的観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
• 4a-ps-40 CaF/Si(111)のT、T_4、H_3サイト構造モデルの比較検討 : CAICISSによる定量解析
• 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
• 4a-PS-38 Si(111)表面上のAgのエピタキシャル成長における拡散と核発生
• 30a-TA-10 Ag/Si(111)エピタキシャル成長初期過程のCAICISSによるリアルタイム追跡
• Si(111)-7×7〓"1×1"構造相転移の過渡応答:表面原子拡散
• チップで描く高分子鎖配線
• 一次元重合分子鎖の構築とその電子状態評価
• 表面におけるドミノ倒し現象 : STM誘起連鎖重合反応
• 連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成
• ナノドミノ倒しによる構造完全な分子細線の作成(最近の研究から)
• 分子ワイヤの形成と分子デバイスの展望
• 共役高分子ナノワイヤーの任意位置作成 : 連鎖重合反応のナノスケール制御
• 分子の鎖でナノワイヤーをつくる (特集 化学が拓くナノテクノロジー)
• 24pY-2 ジアセチレン化合物の重合反応のSTM観察と制御
• 31a-K-1 Si(111)表面準位の表面SHG法による分光測定
• 18aPS-15 磁化誘起SHG測定に用いる超高真空チェンバー窓の光学歪みの評価
• 31p-F-8 Si(111)表面の酸化反応における核形成、成長モデル
• Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定
• 22pPSA-1 合成オリゴDNAによる層状構造の形成(領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 19aRH-13 二探針STM法によるSi(001)表面上のErSi_2ナノワイヤの電気伝導測定
• 固体電気化学反応を用いた量子化電導原子スイッチとその応用
• 27pY-7 Si(001)2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価
• 25pY-12 Au2原子列鎖の構造と電子状態
• 29a-PS-5 Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価
• 25pWB-7 ジグザグ金原子鋼の双安定性
• 挿入光源(BL10XU)と第3世代XAFS -高輝度光源のもたらす新世界-
• チューナブルX線アンジュレータによるXAFS
• (量子効果)ナノワイヤーの電気伝導 (物性科学の最新動向)
• EXAFS法によるCuInSe2薄膜の局所構造の研究 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--局所構造)
• 6a-B4-12 CaF2(111)表面の欠陥の構造と化学状態
• 6a-B4-11 Si(111)-√3×√3Ag表面の構造のCAICISSによる研究
• 29aZF-10 中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光 (ME-CAICISS) による ErSi_2/Si(111) 界面構造の解析
• 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
• 19pPSB-31 Temperature and flux dependence of the nucleation of Si (111)-√x√-Ag phase on clean Si surface studied by SHG
• 22aWA-3 Enhancement of surface magnetization in Si(111)-7×7 observed by surface SHG
• 22pW-2 SHGによる表面磁気光学効果(SMOKE)の感度特性
• 22pW-1 Si(111)-7x7表面の磁気光学効果の表面SHG法による測定
• 21aTG-4 ナノ細線の局所発光特性(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aYC-8 STM誘起発光法によるスピン偏極計測(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aWR-1 ナノ構造からのSTM誘起発光の偏光解析(表面局所光学現象/表面界面ダイナミクス)(領域9)
• 23pWB-6 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM誘起発光
• 23aW-12 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM発光
• シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光
• 27pZ-9 水素終端Si(001)表面上のナノ構造からのSTM発光
• 28a-Q-2 Si表面上の原子スケール構造からのSTMによる発光
• 28p-YR-10 STMによる原子スケールでの発光とその機構
• 1a-YA-3 水素終端Si(100)表面からのSTMによる水素脱離
• 31aZF-5 有限電圧下のナノワイヤーにおける負の微分コンダクタンス発生メカニズムの解明
• Kinetics of Submonolayer Oxide Decomposition on Si(111)Studied with SHG

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク