1次元細線における単一電子トラップ
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概要
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1次元細線の伝導度を測定すると、量子化伝導度とともに時間に対してランダムに変動する成分(ランダムテレグラフ信号(RTS))が観測される。RTSは伝導チャンネル近傍に存在するトラップに伝導電子が出入りすることによっておこる。今回、我々はトラッピング現象間に静電的相互作用が働いていることを見い出した。高移動度GaAs/AlGaAs基板上にスプリットゲートによって1次元チャンネルを形成して伝導度を測定した。さらに、それぞれのゲートに正負のオフセット電圧を加えることでチャンネルを移動させ、トラップの分布を調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-21
著者
-
阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
中村 和夫
日本電気(株)基礎研
-
Hwang Sungwoo
Department Of Electronics Engineering Korea University:institute Of Quantum Information & Proces
-
Hwang Sungwoo
Department Of Electronics Engineering Korea University
-
中村 泰信
Nec 基礎・環境研
-
中村 泰信
日本電気(株)基礎・環境研究所:(独)理化学研究所 フロンティア研究システム:(独)科学技術振興機構crest
-
Hwang S.W.
日本電気(株)基礎研究所
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