26a-S-4 界面選択性X線トポグラフィ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
-
木村 滋
JASRI
-
平野 馨一
KEK
-
石川 哲也
東大工
-
広瀬 和之
宇宙科学研究所
-
秋本 晃一
Nec筑波
-
木村 滋
マイクロエレ研
-
相沢 一雄
Nec筑波
-
三浦 喜直
NECシリコンシステム研究所
-
神崎 清志
東大工
-
平野 馨一
東大工
-
淵上 勝弘
東大工
-
三浦 喜直
NEC筑波
-
木村 滋
NEC筑波
-
広瀬 和之
NEC筑波
-
木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
関連論文
- 行政刷新会議事業仕分けに対する日本放射光学会の対応(経過報告)と考え方
- 28pPSA-40 Co-Feシアノ架橋金属錯体の構造ダイナミクス(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aPS-71 Co-Feシアノ架橋金属錯体の構造ダイナミクス(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 8)
- 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 7)
- 22pXG-5 フラーレン薄膜 FET における薄膜構造と物性
- 30pA09P 核融合生成中性子損傷に拠る半導体計測器X線感度特性変化の解明(プラズマ計測)
- 31p-TJ-2 X線熱散漫散乱波の回折 : Ge完全結晶における厚さ依存性
- 28p-H-4 完全結晶におけるX線熱散漫散乱波の回折
- 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム (JSR10) 学生発表賞審査結果について
- 28pRE-3 反応現象のX線ピンポイント構造計測II : DVD材料の高速相変化の観測(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30pYK-2 アモルファスGe_2Sb_2Te_5の構造(30pYK 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 23pPSB-60 時間分解X線回折装置を用いたピンポイント構造計測(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aXK-2 ピンポイント構造計測によるDVD記録材料の時分割構造評価(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aB34P p型並びにn型シリコン半導体X線検出器に対する核融合生成中性子照射の影響(計測)
- 26a-S-7 SR光による非投影結晶モワレ縞の観測 III
- 28a-L-4 微小歪観察のための薄くしたシリコンの平面波トポグラフィ
- 26p-Q-6 ラウエケース、吸収のある場合のX線熱散浸散乱に及ぼす動力学的回折効果 II
- 5p-TA-9 SR光による非投影結晶モワレ縞の観測 II
- 4a-TA-4 Au/Ni人工格子のsupermodulus Effect
- 1p-TJ-7 SR光による非投影結晶モワレ縞の観測
- 31p-TJ-3 ラウエケース、吸収のある場合のX線熱散漫散乱に及ぼす動力学的回折効果
- 5p-T-2 透過型X線回折法による表面構造の研究
- 5a-B5-11 大強度放射光用直接水冷型2結晶モノクロメーター
- 28p-E-5 金属人工格子Ni/Moの圧力効果
- 26p-A-11 40ナノラジアンの角度拡がりをもつビームによるX線トポグラフィ
- 26p-P-2 Si(111)√×√ - Ag 構造によるX線回折
- 26p-P-1 X線I-E曲線によるSi(111)√×√-Bi構造の解析 II
- 28p-H-8 うすいシリコン結晶の平面波放射光トポグラフィによる微小欠陥の検出
- 28p-H-3 集光型2結晶モノクロメーター
- 30p-D-11 X線回折法によるSi(111)√×√-Bi構造
- 1p-E-5 X線光学と精密実験
- 1p-S-5 高角入射条件下でのSi(111)√×√Bi構造によるX線回折の観測
- 11p-T-11 フォトンファクトリー低温X線回折ゴニオメータの建設
- 11p-T-8 X線異常散乱を用いたCu_2NiZn合金の短範囲規則の測定
- 2p-M-16 人工多層膜からの反射X線の角度分布
- 2p-M-13 GeのK吸収端における異常分散
- 12p-T-6 PF精密X線光学実験装置VI
- 12p-T-2 P.F.精密X線光学実験装置II : X線屈折率の測定
- X線ピンポイント構造計測による粉末試料1粒からの単結晶構造解析
- 28pRE-2 反応現象のX線ピンポイント構造計測I : 粉末1粒からの結晶構造解析(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- SPring-8の産業利用(9)放射光マイクロX線回折法によるひずみ緩和SiGeバッファー層の評価
- 放射光によるナノ材料表面界面・薄膜の評価
- X線マイクロビームを用いた局所領域微量ひずみの検出
- 新しい実験手法が拓く構造物性 高分解能マイクロビームX線回折法による半導体レーザー素子の評価 (放射光X線による構造物性研究の最前線 特集号) -- (放射光構造物性研究の最前線)
- 23aYH-9 サブミクロンの空間分解能をもつX線位相顕微鏡の開発
- シリコン結晶中の微小欠陥が形成する格子歪の研究
- 1p-YL-1 SPring-8におけるX線偏光素子の開発
- 反応現象のX線ピンポイント構造計測 : DVD材料の光記録現象をSPring-8で見る
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- 12p-T-1 PF精密X線光学実験装置 : I概要
- 21aXB-3 非共鳴 X 線磁気散乱における偏光解析の新手法
- DVD相変化材料の時分割構造解析
- 31p GK-5 全反射X線の角度分布測定による鏡面の評価
- 放射光結晶化学研究における時分割測定と極微小結晶構造解析の将来展望
- 4p-X-2 放射光による核共鳴非弾性散乱
- 1p-YL-2 移相子と直線偏光子を用いたX線磁気回折における磁気効果エンハンス
- 5a-TA-11 多孔質Siに対する逆格子点近傍のX線回折強度分布
- 2p-KK-2 気体回折法を用いたwiggler放射光のスペクトル測定
- 2p-KK-1 ウィグラ放射光用ビーム・ライン(BL14)の建設
- 12p-T-4 PF精密X線光学実験装置IV : Fe-3%Si結晶におけるX線の磁気散乱
- 12p-T-3 PF精密X線光学実験装置III : SRの偏光度測定と偏光面の回転
- 27p-L-4 放射光X線トポグラフィ装置 I : 設計・製作・立上げと運転
- 2a-NR-1 角度分解型平面波X線トポグラフィによる転位像 II
- 2p-N-4 角度分解型平面波X線トポグラフィによる転位像
- 31a-BF-9 Si単結晶中の積層欠陥の平面波X線トポグラフィ
- 10a-Z-5 転位の歪場の表面緩和の平面波X線トポグラフィ
- 28pYD-9 種々の FET 基板上におけるフラーレンおよび関連物質の構造
- 23pWK-5 多波長同時分散光学系を用いたトランケーションロッドの測定III(23pWK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 27pPSB-32 X線磁気回折によるホルミウム鉄ガーネットのスピンおよび軌道磁気モーメントの温度変化測定
- 29a-XJ-7 SPring-8における移相子を用いた単色X線磁気回折
- 2nd US-Japan Workshop on Synchrotron Radiation and Nanoscience 報告
- SPring-8のナノテクノロジー材料研究
- 31p-B-7 放射光での偏光可変X線光学系
- 13a-DC-14 BL-28Bの円偏光度測定
- 26a-S-4 界面選択性X線トポグラフィ
- 28p-ZB-2 X線偏光光学系IV : 円偏光の高速スイッチング
- 28p-ZB-1 X線円偏光光学系
- 28a-L-3 外層膜のX線トポグラフィ
- 26p-Q-3 X線偏光光学系 II. : 偏光状態の完全決定
- 1p-TJ-13 2結晶X線偏光解析器の製作
- 5p-B5-3 左右円偏光X線の作製
- X線定在法によるNiSi_2/(111)Si界面構造の解析(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 2a-KK-4 X線定在波法によるNisi_2/(111)Si界面構造の解析
- 26p-Q-4 X線偏光光学系III : 波長可変左右円偏光の生成
- 4p-X-3 放射光による高圧下メスバウアー分光 (II)
- MgB_2薄膜の成長と超伝導特性に対するバッファー層効果
- 29p-E-11 α-^Fe_2O_3 結晶の育成・評価と核ブラッグ散乱反射率
- 第2回日本放射光学会 放射光基礎講習会「入門者のための放射光技術」報告
- Si融液対流と育成結晶中のストリエーションとの相関 : 融液成長VI
- 高分解能マイクロビームX線回折法によるInGaAsP選択成長層の評価 : 第3世代放射光の産業利用の例として
- 29a-XJ-1 動力学理論によるCTR散乱
- 表面選択性X線トポグラフィによる鏡面研磨シリコン表面の観察
- 4. X線-CTR測定によるイオン結晶へき開表面の評価(名古屋大学応用物理学教室,修士論文題目・アブストラクト(1987年度)その2)
- 26pXZE-7 TaS_2超薄膜単結晶デバイスの作製と電子相転移(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXZE-7 TaS_2超薄膜単結晶デバイスの作製と電子相転移(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- タイトル無し
- 9aSL-6 多重極限下のX線磁気回折実験系の立ち上げ((X線)X線・粒子線,領域10)
- 28pCG-3 第一原理計算によるABサイト秩序型ペロブスカイト酸化物CaCu_3Fe_2Sb_2O_の磁性研究(28pCG 低温理論2(強相関),領域8(強相関係))