シリコン結晶中の微小欠陥が形成する格子歪の研究
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概要
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Recent studies on minute strain fields in as-grown silicon single crystals using synchrotron radiation are described. These have been performed by means of plane wave X-ray topography using highly collimated X-rays with an angular divergence of less than 0.01 arcsec, With this method, minute strain fields in float-zone-grown Si crystals containing A- Nd D-defects, and rapidly cooled Czochralski-grown Si crystals have been imaged. It is shown that minute strain fields in the Si crystals can be quantitatively determined from the analysis of contrast in the topographs.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1994-03-25
著者
-
木村 滋
JASRI
-
石川 哲也
東大工
-
木村 滋
財団法人高輝度光科学研究センター
-
木村 滋
NEC マイクロエレクロニクス研究所
-
石川 哲也
東京大学工学部
-
松井 純爾
NEC 研究開発グループ
-
木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
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