電子線誘起金属膜堆積による微小MIMトンネル接合形成
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概要
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WF_6ガス雰囲気中での電子線誘起W膜堆積による単一電子素子形成を目的とした金属/絶縁体/金属(MIM)トンネル接合形成および電気特性について報告する. 線状走査により形成されたワイヤーの形状は, 幅13nm, 膜厚8nm程度であり, 照射量が5-15pC/shotの範囲でコンダクタンスは5桁以上も増加した. 15pC/shot以上の照射量では, 膜厚, コンダクタンスともに照射量に比例し, 比抵抗6xl0^<-4>Ωcm 以下の膜質が得られた. 次にワイヤー中央部に未照射部を設けた単一トンネル接合を形成し電流電圧特性を調べた. 未照射部の幅が大きくなるにつれ非線形的な特性を示し, Fowler-Nordheimプロットで表された. これよりトンネル障壁の高さとして0.17-0.21eVが得られた. さらに, 未照射部にスポット露光を行うことで金属島を作り, サイドゲート電極を作ることでトランジスタ構造を作製し, 230Kにてクーロン振動を観測した.
- 1997-07-15
著者
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