不揮発性デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
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概要
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従来MRAMの不揮発性記憶素子として用いられている強磁性トンネル磁気抵抗効果(TMR)素子を活用し,ロジック回路内部に記憶機能を分散させ,メモリと演算器間のデータ転送ボトルネックを解消する不揮発性ロジックインメモリ回路の構成法を提案する.2個のTMR素子に相補データを記憶し,これらを直列に接続して相補的に動作させることにより,TMR素子を用いて演算機能と不揮発性記憶機能を同時に実現できる.これにより,ロジックインメモリVLSIの高性能化と小型化を達成できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-03
著者
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