相補形TMR/トランジスタネットワークを活用した低消費電力ロジックインメモリVLSI(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
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概要
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MRAMに用いられるトンネル磁気抵抗効果(TMR)素子が可変抵抗素子と見なせることに着目し,これをトランジスタと直並列接続することで,記憶機能と論理機能をコンパクトに一体化させる新しいロジック回路,すなわちロジックインメモリ回路が構成できることを示す.また,相補形ダイナミック論理を活用することで,微小な入力振幅時においても高速化かつ低電力化が達成できることを明らかにしする.さらに本回路構成に基づき細粒度パイプラインのSAD演算器を実現する場合,同等機能のCMOS実現と比較して高性能化が達成できることを述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-16
著者
-
羽生 貴弘
東北大学電気通信研究所
-
木村 啓明
東北大学大学院情報科学研究科
-
望月 明
東北大学電気通信研究所
-
望月 明
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
Mochizuki Akira
The Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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