21pHA-7 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 福谷 克之

  東大生研

• 松本 益明

  東大生研

• 岡野 達雄

  東大生研

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 福谷 克之

  東京大学生産技術研究所

• 福谷 克之

  東大生産技術研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

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