14pXG-9 Si(111) 表面上の鉄シリサイド薄膜成長初期過程の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)

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概要

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• 2004-08-25

著者

• 福谷 克之

  東大生研

• 松本 益明

  東大生研

• 岡野 達雄

  東大生研

• 河内 泰三

  東大生研

• 杉江 薫

  東大生研

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