SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
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概要
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Si(001)基板上ヘエピタキシャル成長したSiGe表面へのシラン吸着・脱離過程を多重内部反射赤外分光法によって観察した。得られた赤外スペクトルから、SiH_4は室温でSiGe表面上に解離吸着すること、また解離吸着する分子種はSiGeのGe組成比に依存していることが分かった。しかしどの濃度の試料においても、試料加熱によってSi2占有ダイマー構造の形成が観測された。これは加熱によってSiとGeの置換反応が進み、表面にSiダイマーが形成されることによるものと解釈することができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
長崎大学
-
篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
瀬山 顕雄
東北大学電気通信研究所
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