F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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近年、有機薄膜トランジスタ(OTFT)に関する研究が盛んに行われている。OTFTは、軽量で柔軟性を持った大面積デバイスを実現でき、有機ELディスプレイ等への応用が期待されている。OTFTを高電流で駆動したり、高周波で駆動したりするためには、さらなる特性の向上が必要とされる。そのためにはトランジスタの微小化か不可欠であるが、一般的な金属電極を用いたOTFTにおいてチャネル長を短くした場合、金属/有機界面におけるキャリア注入特性の影響を強く受け、見かけの移動度が低下し、微細化によって期待される特性が得られない。そこで本研究では、キャリア注入特性の影響を受けないOTFTの作製のために分子ドーピング技術の利用を試みた。まずキャリア注入特性へ及ぼす分子ドーピングの効果を変位電流評価法(DCM)により調べた。その結果、高ドープした有機層とドーピングしていない有機層との界面においてはキャリア注入現象が生じないことがわかった。また、多重内部反射型赤外吸収分光法(MIR-IRAS)によって分子ドーピングされた有機分子の化学状態を観測し、キャリア生成機構を調べた。最後に、高ドープした領域をソース及びドレイン電極とした、キャリア注入現象を介さないOTFTを作製し、それがトランジスタとして動作することを確認した。
- 2012-04-11
著者
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学大学院医工学研究科
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
飯野 祥平
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
但木 大介
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
馬 騰
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
張 晋逾
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
但木 大介
東北大学電気通信研究所
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