Si表面上水素吸着・脱離過程の赤外分光"その場"観察
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概要
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Si(100)表面への水素原子の吸着・脱離過程を多重内部反射型赤外分光法で"その場"観察した. 室温で清浄Si(100)(2×1)表面を原子状水素に曝すと, 水素曝露量が少ない段階では水素がダイマーSiのダングリングボンドに吸着してモノハイドSi(HSi-SiH)が生成されるが, 水素曝露量を増加させていくと原子状水素がダイマーボンドやバックボンドを切断し, 表面をエッチングすることが確かめられた. 水素吸着表面を〜400℃にアニールすると表面はモノハイドライド(Si-H)とダイハイドライ(SiH_2)成分で覆われ, 更に高温にするとそれぞれのハイドライド成分の水素が異なった反応過程を経て脱離することが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-25
著者
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