酸化チタンナノチューブ微小ガスセンサの作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
トップダウンプロセス(フォトリソグラフィ)とボトムアッププロセス(陽極酸化)とを組み合わせたハイブリッドプロセスを用いてチタン細線の一部の微小領域を局所的陽極酸化することによって、酸化チタン(TiO_2)ナノチューブ膜から成る多孔質微小水素ガスセンサを作製した。検出電流は、水素濃度10vol.%のとき、約1mAとなり、白金櫛形電極を用いることなく高い検出電流を得た。これは、検出電流の増大方法としてセンサの微細化が効果的であることを示している。また、その応答特性は、センサのサイズに依存しなかった。これは、センサの大きさが微小であるにもかかわらず、均一な酸化チタンナノチューブが形成されていることを示している。これらの結果は、ハイブリッドプロセスは多孔質構造を有する微小ガスセンサの構築に適した手法であり、TiO_2ナノチューブはその材料として適した材料であることを示している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-08-01
著者
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学大学院医工学研究科
-
小島 領太
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
木村 昭太
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
関連論文
- 表面赤外分光法を用いた抗原抗体反応の非標識検出 : 二次構造解析による特異・非特異信号の識別
- 変位電流評価法を用いた有機ヘテロ接合界面における電荷トラップの評価(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 多重内部反射型赤外吸収分光法を用いた有機デバイスの評価(有機材料,一般)
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 陽極酸化により作製したアルミニウムナノドットからのクーロン階段の室温観測
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- C-3-10 移動回折格子によるヘテロダイン方式フーリエ変換赤外分光法
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性 : 電荷注入特性に依存したFETのチャネルタイプ(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法で調べたペンタセン有機電界効果トランジスタ界面のキャリア挙動
- Si(100)-2×1表面上ナフタレン吸着の赤外吸収分光解析
- 変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体 / 電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス, MEMS, 一般)
- 変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体/電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス・MEMS・一般)
- ソフトナノテクノロジーのための計測技術
- 純水中Si表面の反応プロセス : 酸化と水素置換
- 高分子系有機薄膜トランジスタの熱処理効果(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 色素増感太陽電池のための透明電極上への酸化チタンナノチューブの形成(有機・薄膜デバイス,一般)
- 色素増感太陽電池応用に向けた陽極酸化チタンナノチューブの作製と応用(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- SiGe表面の水素吸着・脱離過程
- イオン液体を用いたP3HT有機トランジスタの作製と評価(有機・薄膜デバイス,一般)
- トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析
- Si(100)表面上のベンゼン分子吸着過程
- 酸素プラズマ中でのSi表面水素の拳動
- 半導体表面・界面反応の赤外分光観察
- 18aTF-6 SiH_2Cl_2分子の吸着・熱分解過程における表面水素の挙動
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- C-11-7 多重内部反射型赤外分光法を用いたSiウェーハ上の汚染位置検出
- 有機半導体完全結晶の創製と電子特性 : 固液界面アトムプロセスの応用(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 酸化チタンナノチューブの色素増感太陽電池への応用とその評価(TFT(有機,酸化物),一般)
- 表面に生命を見る : 生体計測技術の新展開
- 連載企画 生体計測のための赤外吸収分光技術
- 有機珪素化合物の光分解・重合プロセス
- 4p-X-5 固体表面における光反応
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 高分子系有機トランジスタの有機半導体層への熱処理効果
- P3HT有機電界効果トランジスタの有機絶縁膜界面の化学修飾効果
- 陽極酸化過程を用いた室温動作単電子トランジスタの作製(TFT(有機,酸化物),一般)
- 有機FETの動作特性に及ぼす電極/有機界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 多重内部反射型赤外吸収分光法によるシリコン表面の電気化学エッチング過程の"その場"観察
- 18aTF-7 Si陽極化成中における表面水素化物のFT-IRによるその場観察
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- Si(100)へのSiH_4分子吸着過程
- 23pWA-8 SiH_4及びSi_2H_6分子SiGe表面吸着過程
- シリコン表面の初期酸化過程の赤外分光解析
- 25pW-3 Si(100)表面上のシラン及びジシラン分子の吸着状態
- 25pW-1 水素終端Si(100)2×1表面上のGe原子の挙動
- 24pW-9 Si(100)表面上のジシラン(Si_2H_6)吸着過程
- SiH_x(CH_3)_分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析
- SiH_x(CH_3)_分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 半導体表面を裏から眺める--半導体表面・界面反応の赤外分光解析
- 表面赤外分光を用いたバイオセンシング
- C-3-2 金属プローブを用いた赤外走査型近接場顕微鏡の開発(光記録・計測)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-1 ディスク型回折格子による光ヘテロダイン変調型赤外干渉計(光記録・計測)(C-3.光エレクトロニクス)
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス, MEMS, 一般)
- 半導体表面における水素の挙動 : 赤外分光解析
- 医学・生物応用光学
- サマリー・アブストラクト
- 電極電圧制御下でのシリコン表面エッチング過程の赤外分光観察
- 陽極酸化による透明電極上への酸化チタンナノチューブ膜の形成 (電子デバイス)
- 有機電界効果トランジスタの特性に及ぼすキャリア注入の影響
- 半導体加工に基づくイオンチャネルチップの開発
- 26p-YM-9 Si(100)表面上の水素脱離過程
- Si表面上水素吸着・脱離過程の赤外分光"その場"観察
- 陽極酸化による透明電極上への酸化チタンナノチューブ膜の形成(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 陽極酸化TiOナノチューブ形成過程に及ぼす電解液組成の影響 (電子部品・材料)
- ナノ・マイクロ加工に基づく人工細胞膜センサの研究
- 基底核の脳神経回路における薬理作用のシミュレーション(I) : 眼球運動の遅れと神経細胞活動度の振動現象
- 透明電極上に形成された陽極酸化TiO_2ナノチューブ膜の色素増感太陽電池への応用(TFT(有機,酸化物),一般)
- F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ(TFT(有機,酸化物),一般)
- 酸化チタンナノチューブ微小ガスセンサの作製
- 陽極酸化TiO_2ナノチューブ形成過程に及ぼす電解液組成の影響
- D-2-1 スパイクタイミング依存可塑性に対する抑制性神経細胞の影響(D-2.ニューロコンピューティング)
- 有機PVDFフィルムを用いた圧電式水素ガスセンサの開発(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- 陽極酸化TiO_2ナノチューブ膜を用いた前面照射型色素増感太陽電池の特性に与えるTiCl_4処理の効果(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- 電気化学的手法を用いた金属微粒子の堆積(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- P3HT膜の電界効果移動度に及ぼす熱処理過程の影響(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- シリコン微細加工で創るイオンチャネルチップ
- F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ