電極電圧制御下でのシリコン表面エッチング過程の赤外分光観察
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概要
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沸酸溶液中において電圧を印加したシリコン表面のエッチング過程を多重内部反射型赤外分光法を用いて"その場"観察した。低電圧印加時にはシリコン表面は水素で終端され、その反応速度は印加電圧が大きくなるにしたがい急激に大きくなった。エッチング初期においては、モノハイドライドが優勢であり、ステップサイトを生成していると考えられる。さらにエッチングを続けるとダイハイドライドが次第に増加することから、シリコン表面が多孔質化しその壁面に水素が終端したと考えられる。しかしながら、印加電圧が約1Vを超えると表面の水素は次第に減少し最終的にはシリコン表面は水素で終端されていないことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-27
著者
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