Si(100)へのSiH_4分子吸着過程
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概要
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Si(100)表面上のシラン分子の吸着過程を多重内部反射型赤外分光法を用いて調べた。吸着初期段階でダングリングボンドが数多くある場合には、シラン分子は解離吸着し、2つの隣り合ったダイマー間に架橋結合したダイハイドライド(SiH_2)と、2個のモノハイドライド(SiH)が生成することが分った。曝露量が多くなり、吸着に使えるダングリングボンドの数が減ってくると、1つのダイマー上でSiH_2やトリハイドライド(SiH_3)という形で吸着するということが分った。300℃前後の低温でアニールすると、表面吸着水素化物は分解・再構成して、アドアトムダイマーを形成することが分った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
長崎大学
-
篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
瀬山 顕雄
東北大学電気通信研究所
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