瀬山 顕雄 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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篠原 正典
長崎大学
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篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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瀬山 顕雄
東北大学電気通信研究所
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鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
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庄子 大生
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
著作論文
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- Si(100)へのSiH_4分子吸着過程
- 23pWA-8 SiH_4及びSi_2H_6分子SiGe表面吸着過程
- 25pW-3 Si(100)表面上のシラン及びジシラン分子の吸着状態
- 25pW-1 水素終端Si(100)2×1表面上のGe原子の挙動
- 24pW-9 Si(100)表面上のジシラン(Si_2H_6)吸着過程