SiH_x(CH_3)_<4-x>分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析
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概要
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Si(100)表面へのメチルシランSiH_x(CH_3)_<4-x>の吸着過程を多重内部反射型赤外分光法で"その場"観察した.室温で清浄Si(100)(2x1)表面をメチルシラン分子に曝すと, Siダイマーのダングリングボンドに分子が解離吸着してモノハイドライド, ダイハイドライドやトリハイドライドが生成されることが確かめられた.モノメチルシランの吸着の場合には反射次数が一次と二次の異なる吸着モードがあることが分かった.一次の吸着過程では分子が各々のダイマーのダングリングボンドに解離吸着するが, 二次の吸着反応では表面種-SiH(CH_3)と一対の水素が各々独立に吸着する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-20
著者
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
長崎大学
-
篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
-
庄子 大生
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
赤間 洋助
東北大学電気通信研究所
-
前濱 剛廣
琉球大学工学部
-
前濱 剛廣
琉球大学工学部電気電子工学科
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