前濱 剛廣 | 琉球大学工学部
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概要
関連著者
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前濱 剛廣
琉球大学工学部
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安富祖 忠信
琉球大
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安冨祖 忠信
琉球大学工学部 電気電子工学科
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曽根川 富博
琉球大学工学部
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上原 和浩
琉球大学工学部
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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江 偉華
長岡技科大工
-
八井 浄
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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篠原 正典
長崎大学
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八井 浄
長岡技科大・工
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篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
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八井 浄
長岡技科大
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偉華 江
長岡技術科学大学電気系 同粒子ビーム工学センター
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Yatsui K
Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn
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庄子 大生
東北大学電気通信研究所
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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赤間 洋助
東北大学電気通信研究所
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曽根川 富博
琉球大
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前濱 剛廣
琉球大学工学部電気電子工学科
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大友 勝彦
長岡技科大
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新垣 利喜
琉球大
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新里 樹
琉球大学工学部
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宮里 博明
琉球大 工
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江 偉華
長岡技科大
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上杉 健太朗
JASRI/SPring-8
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梶原 堅太郎
JASRI
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飯田 敏
富山大・理
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センター
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上杉 健太朗
Jasri
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梶原 堅太郎
Jasri Spring-8
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飯田 敏
富山大学理学部物理学科
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飯田 敏
富山大理
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水澤 康
富山大理
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川戸 清爾
九州シンクロトロン光研究センター
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松田 はるみ
富山大理
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山口 昌士
富山大理
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川戸 清爾
リガクX線研
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前浜 剛広
琉球大工
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鈴木 芳文
九工大工
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佐藤 章憲
九工大工
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鈴木 芳文
九州工業大学大学院工学研究科
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究所
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安冨祖 忠信
琉球大学工学部
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センター 産業利用推進室
著作論文
- 24pYS-12 放射光平面波X線を用いたgrown-in欠陥を含むシリコン結晶の回折強度曲線測定(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- SiH_x(CH_3)_分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析
- SiH_x(CH_3)_分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析
- 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成siの作製と誘電特性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 背面堆積パルスイオンビーム蒸着法で作製された強誘電体材料薄膜の組成分析
- 背面堆積パルスイオンビーム蒸着法による強誘電体材料の薄膜化
- 気相エピタキシャル成長GaAsの表面模様と結晶欠陥との対応
- 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- X線二結晶法によるストライプ状SiO2/GaAs基板の格子歪分布の測定
- X線2結晶法によるストライプ状SiO2/GaAs基板の格子歪の測定
- X線2結晶法によるSiO2-GaAs基板の反りの曲線分布の測定
- 変形バイメタルモデルによる拡散不純物表面濃度の決定
- バイメタルモデルによる基板エピタキシャル層間格子定数差の測定
- X線2面入射法による結晶面傾斜角およびX線屈折率の測定
- Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と2次元欠陥--X線トポグラフィ-による観測
- Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と2次元欠陥--エッチング法による観測
- 転位線のエッチング速度
- 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価
- 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価(電子材料)
- X線2結晶法によるストライプ状SiO2/GaAs基板の格子歪の測定
- 変形バイメタルモデルによる拡散不純物表面濃度の決定
- X線2面入射法による結晶面傾斜角およびX線屈折率の測定
- 気相エピタキシャル成長GaAsの表面模様と結晶欠陥との対応
- Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と2次元欠陥--X線トポグラフィ-による観測