低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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次世代LSI層間絶縁膜として期待されているLow-k薄膜材料を,陽極化成により多孔質化した陽極化成Siを熱酸化することで作製した.試料は,低抵抗n型Si単結晶を原材料として,陽極化成電流密度の変化で多孔度を変えた陽極化成Siを作製し,それを1000℃の酸素ガス中で熱酸化を行うことで作製した.試料の誘電率は,5×10^2〜5×10^6Hzの周波数の範囲で変化は見られない.また,電流密度100mA/cm^2で作製した多孔度73%の陽極化成Siを酸化した試料の誘電率は,k=3.0の値が得られた.
- 2008-04-04
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