Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と2次元欠陥--エッチング法による観測
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概要
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Si-doped and non-doped GaAs crystals are heat-treated for 72 hours at 1000℃ under 600 Torr arrsenic pressure. Arrow-shaped etch figures, which have never been found on as-grown Si-doped GaAs crystals, are formed on As (1^^-1^^-1^^-) surface of heat-treated Si-doped GaAs crystal, but these etch figures did not appear on non-doped case. The arrow-shaped etch figure corresponds to a two-dimensional defect which is formed by dislocation clibming. The dislocation clibming mechanism and the formation mechanism of the two-dimensional defect are discussed precisely and a model of the formation is proposed. which concerns with Si-impurities and As interstitials.
- 琉球大学工学部の論文
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