Si-doped GaAs単結晶の転位の上昇と2次元欠陥--X線トポグラフィ-による観測
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概要
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A formation mechanism of two-dimensional defects which are produced in a Si-doped GaAs crystal during heat-treatment has been studied by X-ray diffraction topography. The Si-doped GaAs crystal was heat-treated for 72 hours at 1000℃ under 600 Torr arsenic pressure. X-ray diffraction topographs of the crystal were taken before and after heat-treatment. Then the surface of the crystal was etched by RC-1 etchant for revealing figures of defects. From these topographs we find that dislocations in the crystal climb to absorb some kind of point defects during heat-treatment. From etch figures we also find that two-dimensional defects which are never observed in the X-ray diffraction topograph are formed over tracts of dislocations climbing.
- 琉球大学工学部の論文
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