Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス, MEMS, 一般)
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概要
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有機電界発光素子材料として広く用いられているtris(8-hydroxyquinolinato) aluminum(III)(Alq^3)を金蒸着膜上に遮光下で真空蒸着すると巨大な表面電位(28V@560nm)が自発形成され、さらに発生した表面電位は光照射により消去されることが発見されている。これらの現象はAlq_3が様々な有機デバイスヘの応用可能性をもつことを示唆しており、その可能性を評価するために発生した表面電位の保持時間等について調べた。正確な表面電位減少の関数は明らかではないが、遮光下真空中において10年で約10%の減少と見積もられ応用の可能性を考えるに十分な保持時間を持つことがわかった。また、理論シュミレーションを行い、光消去のプロセスのメカニズムに関しても検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-26
著者
-
石井 久夫
千葉大学先進科学研究教育センター
-
石井 久夫
東北大・通研
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
-
石井 久夫
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
杉 哲司
東北大学電気通信研究所:crest
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