Photo-Induced Doping Effect of Organic Semiconductors(Session 9B Emerging Devices and Technologies III,AWAD2006)

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概要

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• In order to investigate a doping mechanism in organic semiconductors, we have studied the influence of oxygen exposure on pentacene and poly (3-hexylthiophene) (P3HT) field effect transistor (FET) using displacement current measurement (DCM). The DCM results revealed that the oxygen doping effect is small in the dark condition, but is much enhanced by light illumination (photoinduced doping). From the result of infrared reflection absorption in the multiple internal reflection geometry (MIR-IRAS) for P3HT film, we conclude that the charge-transfer reaction between P3HT molecule and O_2 molecules is accelerated by the light illumination.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-06-26

著者

• 石井 久夫

  千葉大学先進科学研究教育センター

• OGAWA Satoshi

  Research Institute of Electrical Communication Graduate School of Information Science, Tohoku Univer

• Yamamoto Gakuji

  Research Institute of Electrical Communication (RIEC), Tohoku University

• Kimura Yasuo

  Research Institute of Electrical Communication (RIEC), Tohoku University

• Ishii Hisao

  Center for Frontier Science, Chiba University

• Niwano Michio

  Research Institute of Electrical Communication (RIEC), Tohoku University

• Yamamoto Gakuji

  Research Institute Of Electrical Communication (riec) Tohoku University

• Niwano M

  Research Institute Of Electrical Communication (riec) Tohoku University

• Kimura Yasuo

  Research Institute Of Electrical Communication (riec) Tohoku University:core Research For Evolutiona

• Ogawa Satoshi

  Research Institute Of Electrical Communication (riec) Tohoku University

• Niwano Michio

  Research Institute Of Electrical Communication (riec) Tohoku University

• Ishii Hisao

  Center For Frontier Science Chiba University

• Kimura Yasuo

  Research Institute Of Electrical Communication (riec) Tohoku University

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