Alq_3を含む有機EL素子の変位電流特性 : ヘテロ界面での正孔蓄積機構および成膜時の光照射効果(有機材料・一般)
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概要
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変位電流評価法によりtris-(8-hydroxyquinolate)aluminum(Alq_3)を含んだ有機エレクトロルミネッセンス素子の電荷蓄積機構を解析した。4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]-biphenyl(α-NPD)/Alq_3界面の蓄積電荷量は、built-in voltage(V_<bi>)を境界にして二種類に分類できる。すなわち、V_<bi>以下の印加電圧では、α-NPD/Alq_3界面に存在する負の界面電荷を相殺する量の正孔が蓄積し、V_<bi>以上の印加電圧では接触抵抗を含めた各層の抵抗率の差に応じて蓄積電荷量が決まる。さらに、我々はこの蓄積電荷量は素子作製時の光照射により大きく減少することを見出した。この結果は、α-NPD/Alq_3界面での電荷蓄積機構にAlq_3層の配向分極が強く関わっていることを示唆する。
- 2008-05-22
著者
-
石井 久夫
千葉大学先進科学研究教育センター
-
石井 久夫
千葉大先進:千葉大融合科学
-
中山 泰生
千葉大学先進科学センター
-
野口 裕
千葉大学先進科学センター
-
佐藤 直樹
千葉大学大学院融合科学研究科ナノサイエンス専攻
-
田中 有弥
千葉大学大学院融合科学研究科ナノサイエンス専攻
-
石井 久夫
千葉大学先進科学センター
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