石井 久夫 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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石井 久夫
東北大学電気通信研究所
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石井 久夫
千葉大学先進科学研究教育センター
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石井 久夫
東北大・通研
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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小川 賢
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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木村 康男
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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内城 竜生
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学大学院医工学研究科
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杉 啓司
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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杉 啓司
東北大学電気通信研究所
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関 一彦
名大院理
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関 一彦
名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻
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関 一彦
名古屋大学大学院
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安彦 尚文
東北大学 電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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安彦 尚文
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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末永 保
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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関 一彦
名古屋大学物質科学国際研究センター
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林 直樹
名古屋大学大学院工学研究科
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伊藤 英輔
理化学研究所フロンティア研究システム
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林 直樹
名大VBL
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林 直樹
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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林 直樹
名古屋大学 大学院工学研究科
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伊藤 英輔
理化学研究所
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岡村 康史
東北大学電気通信研究所
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浜 裕之
東北大学電気通信研究所
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伊藤 英輔
東北大学電気通信研究所
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杉 哲司
東北大学電気通信研究所:crest
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田中 俊司
東北大学電気通信研究所
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西條 直人
東北大学電気通信研究所
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細井 宜伸
独立行政法人科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
著作論文
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法で調べたペンタセン有機電界効果トランジスタ界面のキャリア挙動
- Si(100)-2×1表面上ナフタレン吸着の赤外吸収分光解析
- 変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体 / 電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス, MEMS, 一般)
- 変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体/電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス・MEMS・一般)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ケルビン法でみた有機/金属界面の電子構造 : バンドの曲がりと巨大表面電位発生
- 多重内部反射型赤外吸収分光法によるシリコン表面の電気化学エッチング過程の"その場"観察
- 有機エレクトロニクス素子の薄膜・界面における帯電・分極現象
- C-3-2 金属プローブを用いた赤外走査型近接場顕微鏡の開発(光記録・計測)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-1 ディスク型回折格子による光ヘテロダイン変調型赤外干渉計(光記録・計測)(C-3.光エレクトロニクス)
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス, MEMS, 一般)
- 有機金属界面接合の物理