石谷 明彦 | 日本電気(株)基礎研究所

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概要

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関連著者

• 石谷 明彦

  日本電気(株)基礎研究所

• 高田 俊和

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 大下 祥雄

  日本電気(株)

• 押山 淳

  筑波大学物理学系

• 宮本 良之

  Nec基礎研

• 宮本 良之

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 押山 淳

  日本電気(株)基礎研究所

• 石谷 明彦

  日電・基礎研

• 高田 俊和

  日電・基礎研

• 大下 祥雄

  日電・基礎研

• 谷垣 勝己

  日電・基礎研

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著作論文

• シリコンのエピタキシャル成長における表面反応の理論的考察
• 分子軌道法を用いたシリコン気相成長に関する理論的考察
• シリコンのエピタキシャル成長における吸着過程 : エピタキシーI
• シリコンのエピタキシャル成長における表面反応
• 4a-T-2 Si(100)表面上の酸素吸着II : 局所密度汎関数法による全エネルギーと力の計算
• 4a-B4-9 Si(100)表面への酸素吸着 : 局所密度汎関数法による全エネルギーの計算

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