大下 祥雄 | 日本電気(株)
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
大下 祥雄
日本電気(株)
-
高田 俊和
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
石谷 明彦
日本電気(株)基礎研究所
-
大下 祥雄
Necシリコンシステム研究所
-
高田 俊和
日本電気基礎研究所
-
石谷 明彦
日電・基礎研
-
高田 俊和
日電・基礎研
-
大下 祥雄
日電・基礎研
-
谷垣 勝己
日電・基礎研
-
細井 信基
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
著作論文
- 4. CVD の化学工学 分子軌道法による CVD 素反応メカニズムの解析
- シリコンのエピタキシャル成長における表面反応の理論的考察
- 分子軌道法を用いたシリコン気相成長に関する理論的考察
- シリコンのエピタキシャル成長における吸着過程 : エピタキシーI
- シリコンのエピタキシャル成長における表面反応
- TEOSを用いたSiO_2 CVDにおける成膜種の検討 : 薄膜成長II
- CH_3SiH_3を用いた低湿SiC成長 : 気相成長I
- 27aC4 SPA法によるSi表面の観察 : HClによるエッチング過程の検討(気相成長I)