大下 祥雄 | Necシリコンシステム研究所
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概要
関連著者
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大下 祥雄
Necシリコンシステム研究所
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大下 祥雄
日本電気(株)
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細井 信基
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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渡部 宏治
NECシリコンシステム研究所
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大下 祥雄
日本電気・マイクロエレクトロニクス研
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北島 洋
日本電気・超LSI開発本部
著作論文
- CVD法により形成したTiSi_2膜とSi基板との界面における形態安定性 : 気相成長I
- TEOSを用いたSiO_2 CVDにおける成膜種の検討 : 薄膜成長II
- CH_3SiH_3を用いた低湿SiC成長 : 気相成長I
- 27aC4 SPA法によるSi表面の観察 : HClによるエッチング過程の検討(気相成長I)
- 選択成長における高濃度ドーピングの影響 : 気相成長