27aC4 SPA法によるSi表面の観察 : HClによるエッチング過程の検討(気相成長I)

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概要

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• 日本結晶成長学会の論文
• 1993-07-10

著者

• 大下 祥雄

  日本電気(株)

• 細井 信基

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 大下 祥雄

  Necシリコンシステム研究所

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