GaAsHBTの素子温度を考慮したSPICEモデル

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
GaAs HBTは高周波パワー素子として研究、開発が進められているが、GaAs基板の熱抵抗は高く、バイポーラトタンジスタ特有の熱暴走が生じ易いという、高出力を得るには不利な特性を有している。したがってパワー素子の設計には、発熱が素子に与える影響を盛り込んだモデルが不可欠となる。今回。汎用性の高い回路シミュレータSPICEを用いて、素子の自己発熱効果および各フィンガー相互の影響を、単純な等価回路に置き換え、容易にマルチフィンガー素子の温度特性を表現できたので報告する。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

著者

関連論文

スポンサーリンク