3V単一電源動作5.8GHz帯パワーアンプ
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概要
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3V単一電源で動作する5.8GHzISM帯向け線形パワーアンプを開発した。本パワーアンプは高効率で線形特性に優れたP-pocket MESFETと高利得な非対称P埋め込み(BP)-MESFETの2種類の耐熱性WNx-WセルフアラインゲートMESFETで構成される。パワーアンプは, 1dB利得圧縮時において18.7dBmの出力電力が得られ, この時のパワー利得として17.9dB, 電力付加効率として25.7%が得られた。セルフアラインゲートMESFETは5.8GHzにおいて良好なパワー特性で且つ量産性に優れていることよりISM帯での有効性を確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-21
著者
-
長岡 正見
(株)東芝 研究開発センター
-
池田 佳子
(株)東芝研究開発センター
-
内富 直隆
(株)東芝研究開発センター
-
吉村 操
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
三原 正勝
(株)東芝研究開発センター
-
田邊 芳一
(株)東芝研究開発センター
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長岡 正見
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
瀬下 敏樹
(株)東芝研究開発センター
-
脇本 啓嗣
(株)東芝研究開発センター
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大矢 敬二
(株)東芝半導体システム技術センター
-
北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
吉村 操
(株)東芝研究開発センター
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社
-
北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
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