マイクロ波帯の半導体デバイス : GaAsショットキーゲート電界効果トランジスタ
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概要
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現在着実に発展し, 実用化されつつある, GaAs電界効果トランジスタの特性, 性能およびその応用について紹介した.GaAs電界効果トランジスタは, frが80GHz以上のものが報告され, 10GHz帯以上のマイクロ波帯で使用可能な唯一の3端子能動デバイスである.低雑音であることが大きな特長で, 前置増幅器としてすぐれた特性をもつと同時に, 大電力化の研究も着実に進歩している.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1976-08-01
著者
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