研究解説 : 化合物半導体の表面不活性化技術
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概要
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GaAsあるいはGaP等の化合物半導体は，その電子的性質にSiにない特徴があり，マイクロ波あるいは光領域の能動素子として注目され，研究が進んでいる．本稿では化合物半導体技術を担う表面不活性化技術の現況を紹介し，著者らの進めている陽極酸化法を概説し，今後の応用と問題点について考える．
- 東京大学生産技術研究所,Institute of Industrial Science. University of Tokyo,東京大学生産技術研究所 第3部 半導体電子工学,東京大学大学院 電子工学の論文
- 1977-08-01
著者
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