2.最先端FinFETプロセス・集積化技術(<小特集>32nm世代VLSIを担うMore Moore技術-三次元ゲートMOSFET-)
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概要
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シリコンLSIの世界で,"More Moore","More than Moore"という概念が言い出されて既に数年が過ぎた.予想されていたこととはいえ,従来のスケーリング則に基づいたCMOSデバイスの微細化は確実にその限界に近づいており,できる限りCMOS技術を延命したいという立場から様々な取組みが行われている.本稿では,従来の平面形MOSFETの代りにMOSFET技術を延命できる可能性のある三次元MOSFET,特にFinFETのデバイスインテグレーション技術について解説する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-01
著者
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